I Mosfet FDZ661PZ e FDZ663P Fairchild, due dispositivi PowerTrench a canale-P da 1,5 V, minimizzano gli ingombri su scheda in applicazioni mobili.
Nuovi Mosfet, sviluppati da Fairchild Semiconductor (www.fairchildsemi.com), permettono di ridurre gli ingombri su scheda, di diminuire le perdite di commutazione e di aumentare l’efficienza nelle applicazioni mobili e di potenza. Per le applicazioni mobili, Fairchild ha sviluppato i dispositivi FDZ661PZ e FDZ663P, due Mosfet PowerTrench a canale-P da 1,5 V in package WL-CSP da 0,8 x 0,8 mm che, sfruttando un processo di packaging WL-CSP “fine pitch” allo stato dell’arte, minimizzano gli ingombri su scheda e il valore di RDS(ON) raggiungendo buone caratteristiche termiche per un fattore forma tanto miniaturizzato.
Per quanto riguarda invece la realizzazione di alimentatori c.c./a.c. embedded ad alta densità, Fairchild ha studiato una soluzione che li supporta nel garantire alti livelli di efficienza e densità di potenza all’interno di spazi sempre più piccoli. Si tratta del dispositivo FDPC8011S, un modulo Power Clip Asymmetric Dual a canale-N da 25V in un package 3,3 x 3,3 mm2 a basso profilo. Sviluppato per funzionare a frequenze di commutazione elevate, il dispositivo integra una tecnologia SyncFET da 1,4 m? e un Mosfet di controllo a canale-N e basso fattore di merito da 5,4 m? all’interno di un package all-clip che contribuisce a ridurre il numero di condensatori e le dimensioni degli induttori nelle applicazioni buck sincrone. Il source down, low-side del dispositivo ne facilita posizionamento e routing per un layout più compatto della scheda e performance termiche ottimali. Il nuovo FDPC8011S fornisce oltre 25 A di corrente di uscita migliorando le caratteristiche dei dual Mosfet da 3 x 3 mm2.
Il Mosfet FDPC8011S Fairchild è stato pensato per garantire alti livelli di efficienza e densità di potenza nella realizzazione di alimentatori DC-DC embedded.