Innoscience, azienda fondata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si), con prestazioni elevate e costi contenuti, ha annunciato una famiglia di quattro nuovi dispositivi integrati che uniscono HEMT di potenza GaN, driver, rilevamento di corrente e altre funzionalità in un unico package standard QFN da 6 x 8 mm.
I dispositivi SolidGaN ISG610x da 700 V coprono la fascia da 140 mΩ a 450 mΩ e riducono l’ingombro su PCB e il numero di componenti in distinta base; al tempo stesso aumentano l’efficienza e semplificano la progettazione di applicazioni quali caricatori USB-PD, illuminazione LED, alimentatori c.a./c.c. e convertitori PFC, flyback QR, ACF e LLC.
Le caratteristiche
I nuovi dispositivi integrati offrono un ampio intervallo da 9 V a 80 V c.c. con benefici nelle applicazioni USB-PD che richiedono un’uscita fino a 28 V. Dispositivi concorrenti con una tensione di ingresso limitata a 30 V richiedono un regolatore LDO esterno in alta tensione o numerosi componenti discreti per raggiungere un’uscita superiore a 15 V.
I nuovi componenti SolidGaN di Innoscience possono facilmente soddisfare i requisiti di tensione di uscita dei caricatori USB-PD senza LDO esterno o altre parti, riducendo i costi della distinta base e l’ingombro su scheda.
Per l’esercizio a bassa potenza, la famiglia ISG610x di circuiti integrati offre una bassa corrente quiescente di 115 µA, grazie a un’innovativa modalità di standby che viene attivata quando la tensione del segnale PWM resta bassa per un certo periodo di tempo.
In questo arco di tempo, la maggior parte dei circuiti interni viene spenta, riducendo drasticamente lo spreco di energia e consentendo ai dispositivi di rispettare la specifica di potenza in standby No-Load prescritta da enti regolatori come ENERGYSTAR.
Il rilevamento di corrente senza perdite, con precisione del 7%, dei nuovi dispositivi SolidGaN offre numerosi vantaggi. In primo luogo, poiché viene eliminata la perdita della resistenza di rilevamento della corrente; è possibile utilizzare un valore RDS senza perdita di prestazioni, con conseguente riduzione dei costi. In secondo luogo, diminuisce il numero di componenti, così come l’ingombro su scheda.
“Grazie all’alto livello di integrazione con precisione elevata di rilevamento della corrente e bassa corrente quiescente, la famiglia ISG610x è ideale per applicazioni con pochi e semplici componenti ed efficienza elevata”, ha dichiarato Min Chen, VP of Design Engineering di Innoscience.
I dispositivi presentano anche una velocità di risposta (slew rate) programmabile per ridurre le interferenze elettromagnetiche (EMI). La dotazione comprende un regolatore interno della tensione lineare per assicurare un’alimentazione del driver a 6,5 V rigorosamente controllata, massimizzando la capacità di corrente del transistor HEMT GaN e, al tempo stesso, garantendone l’affidabilità.
Infine, il circuito integrato offre blocco di sottotensione incorporato (UVLO), protezione da sovracorrente (OCP) e protezione da sovratemperatura (OTP).
È disponibile una scheda demo, INNDAD120B1, che descrive un alimentatore flyback quasi-risonante con ingresso a 90 V~264 V c.a. e uscita a 5 V/3 A, 9 V/3 A, 12 V/3 A, 15 V/3 A, 20 V/6 A (picco 120 W).
“Sono entusiasta del lancio di questi nuovi componenti integrati per applicazioni in alta tensione, che vanno ad arricchire il nostro portafoglio di soluzioni discrete già disponibili sul mercato. Ora i progettisti possono scegliere fra le nostre soluzioni discrete e integrate quella più idonea alle loro applicazioni e alle esigenze della supply chain”, ha commentato Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe.
